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东芝轻薄紧凑型LDO稳压器问市可提供更稳定功率

来源:安博电竞官网    发布时间:2024-02-10 21:47:37

  东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,推出由45款LDO稳压器组成的“TCR5RG”系列。该系列均采用轻薄、紧凑型WCSP4F封装。新款LDO稳压器拥有业界领先的[1]高纹波抑制比[2],能够为可穿戴产品等移动电子设备的直流电源线提供更稳定的功率。该系列新产品将从今日开始批量出货。

  TCR5RG系列通过结合宽带隙电路、低通滤波器(仅允许极低频率通过)以及低噪声高速运算放大器,实现了业界领先的[1]100dB(典型值)高纹波抑制比[2]。此外,它们还具有低输出电压噪声和高输出电压精度的特点。这些特性结合在一起,使该系列稳压器可提升电源线的稳定性。

  该系列包含45款产品,最大输出电流为500mA,输出电压范围在0.9V到5.0V之间,以便用户通过你自己的应用选择最合适的输出电压。

  新款LDO稳压器采用尺寸为0.645mm×0.645mm的轻薄紧凑型WCSP4F封装,适合摄像头和小型设备(例如需要高密度贴装的智能手机和可穿戴产品)的电源线应用。

  [1]根据2021年3月2日东芝对最大输出为500mA的LDO稳压器的调查。

  [2]该纹波抑制比(R.R.)与其他制造商的产品指示的电源抑制比(PSRR)相同。

  ROHM开发出使用纳法级超小电容也能稳定运行的内置新电路的车载LDO稳压器“BD9xxN1系列” Nano Cap™ 技术为解决电容问题开拓了小型化和稳定化新领域 全球知名半导体制造商ROHM(总部在日本京都市)面向汽车动力总成系统、车身和汽车信息娱乐系统等广泛的车载应用的一次(直接连接12V电池)电源,开发出车载LDO稳压器*1 IC“BD9xxN1系列(BD950N1G-C、BD933N1G-C、BD900N1G-C、BD950N1WG-C、BD933N1WG-C、BD900N1WG-C)”。 近年来,随着各种设备的电子化进程加速,电子元器件的安装数量也与日俱增,为减少元器件的尺寸和数量,对于减少常被用来

  稳压器 /

  东芝公司宣布,推出新产品“TMPM440F10XBG”,从此其应用于数码设备(比如: 单反相机和娱乐游戏机)的ARM® Cortex®-M4F内核TX04系列微控制器的产品阵容增加了一名新成员。 该产品目前已投入大批量生产。 若要提高数码设备的性能, 就要求降低微控制器的运算时间。 这一新产品集成了高性能ARM® Cortex®-M4F内核,原创的PSC注1协处理器和NANO FLASH-100注2 闪存,所以它的运算时间仅为其前一代产品注3的1/5。     应用 精密设备、马达控制用工业设施、带运动传感器的便携式设备、家用电器、单反相机、和娱乐游戏机。 主要规格 ·注1:可编程伺服器/程序控

  东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,在其TOLL(TO-无引线)封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET---TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65Z和TK190U65Z,今日开始批量出货。 TOLL是一种表面贴装型封装,所需空间比常见的D2PAK封装小27%。它也属于4引脚型封装,能够对栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接,从而减小封装中源极线的电感,进而发挥MOSFET实现高速开关性能,抑制开关时产生的振荡。与东芝现有产品TK090N65Z 相比,其导通开关损耗降低了约68%,关断切换损耗降低了约56% 。

  650V超级结功率MOSFET问市,提高大电流设备效率 /

  安森美半导体(ON Semiconductor)日前推出5款新的低压降(LDO)及超低压降线性稳压器,用于宽范围汽车应用,如后视摄像头模块、仪表组合、车身及底盘应用。这些新器件以节约空间的集成方案提供150毫安(mA)输出电流,符合汽车制造商对点火系统关闭时极低静态电流的最新要求。 * NCV8667 – 极低静态电流(Iq)稳压器,带启用(Enable)、复位及预警(Early Warning)功能 * NCV8668 – 极低Iq稳压器,带视窗看门狗(Window Watchdog)、启用及复位功能 * NCV8669 – 极低Iq稳压器,带复位、延迟及预警功能 * NCV8768 – 超低

  3月1日,在第10.5代显示器全生态产业园区动工仪式上,富士康总裁郭台铭向第一财经记者透露了收购东芝的意向。 “我们有夏普经验,如果把东芝交给我们,作为东芝的用户、伙伴,我们会协助他们经营,注入资金以及很多元素,让他们产品卖到全球各地,甚至我们会邀请他们来中国盖厂,他们能够把核心技术留在日本。”郭台铭对包括第一财经记者在内的媒体表示。 上月,东芝首席执行官纲川智(Satoshi Tsunakawa)表示,他将考虑出售该芯片业务大部分甚至全部资产,避免公司股票被摘牌。当时曾有消息透露台湾的富士康是竞购东芝该芯片业务较小股份的潜在买家之一。 至于洽购最后是否能落实,郭台铭表示,两者合并不存在竞争与市占率问题,但随后补充

  历时近9个月的海外收购终于完全落幕。日前,青岛 海信电器 股份有限公司(600060.SH,以下简称“海信电器”)发布了重要的公告称,关于收购 东芝 旗下的ToshibaVisualSolutionsCorporation(以下简称“TVS公司”)股权的交割事宜已经全部完成,且交割价格也从原来的7.98亿元变为3.55亿元。   不过,业内人士在接受媒体采访时表示,在日系制造业逐步剥离家电产业谋求升级、日系品牌逐步退潮的今天,收购的东芝电视业务能发挥多大价值尚未可知。另外海信电器能把收购价格砍掉一半,也说明标的有点鸡肋,否则怎么能在价格前如此退步?   对于以上问题,记者联系了海信电器相关负责人,截止至发稿,对方仍未予以正面回复。   完成收购

  集微网消息,3D 架构的 NAND 型闪存竞争越来越激烈,继去年 7 月东芝便宣布领先全球同业开始提供堆栈 64 层的32GB 3D Flash 样品出货之后,三星于去年第四季度已开售旗下堆栈 64 层的 3D Flash 产品。一手消息显示,东芝宣布将容量提高 1 倍的 64 层 64G 3D Flash 已进行送样,即将在今年下半年量产。 东芝 22 日发布新闻稿宣布,采用堆栈 64 层制程技术的 64GB 3D Flash 已于 2 月上旬进行样品出货,且预计将在 2017 年下半年进行量产,大多数都用在抢攻数据中心/PC 用 SSD等市场。 另外,堆栈16片 64G 芯片、实现业界最大容量 1TB 的产品预计将在今年 4

  在日本官方组织经济产业省的赞助下,Intel以及分属全球NAND产量第一与第二大的三星以及东芝(还有一些和半导体相关的日商),开始著手针对半导体制程合作;这项总支出达100亿日圆的合作案,有一半是由经济产业省埋单。终极目标就是在2016年能推出10nm的制程,东芝与三星将会应用在NANDFlash,Intel则是用于处理器制程。


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