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来源：安博电竞官网    发布时间：2023-10-23 03:23:41

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  本文介绍最新的驱动器+ MOSFET（DrMOS）技术及其在稳压器模块（VRM）应用中的优势。单芯片DrMOS组件使电源系统能够大幅度提高功率密度、效率和热性能，进而增强最终应用的整体性能。随技术的进步，多核架构使微处理器在水平尺度上变得更密集、更快速。因此，这些组件需要的功率飞速增加。微处理器所需的此种电源由稳压器模块（VRM）提供。在该领域，推动稳压器发展的主要有两个参数。首先是稳压器的功率密度（单位体积的功率），为了在有限空间中满足系统的高功率要求，必须大幅度提高功率密度。另一个参数是功率转换效率，高

  近日，安森美公布了2022年第三季度业绩，其三季度业绩直线.82%。财报多个方面数据显示，其三大业务中，智能电源组营收为11.16亿美元，同比增长25.1%；高级解决方案组营收7.34亿美元，同比增长19.7%；智能感知组营收为3.42亿美元，同比增长44.7%，三大业务全线保持增长。自安森美总裁兼首席执行官Hassane El-Khoury加入安森美后，安森美执行了一系列的战略转型，聚焦于智能电源和智能感知两大领域，从传统的I

  Nexperia推出用于热插拔的全新特定型应用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍

  基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布扩展其适用于热插拔和软启动的ASFET产品组合，推出10款全面优化的25V和30V器件。新款器件将业内领先的安全工作区(SOA)性能与超低的RDS(on)相结合，很适合用于12V热插拔应用，包括数据中心服务器和通信设施。 多年来，Nexperia致力于将成熟的MOSFET专业相关知识和广泛的应用经验结合起来，增强器件中关键MOSFET的性能，满足特定应用的要求，以打造市场领先的ASFET。自ASFET推出以来，针对电池隔离(BMS)、直流

  2022年11月17日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布推出新系列MOSFET器件，采用创新的顶部冷却，帮助设计人员解决具挑战的汽车应用，特别是电机控制和DC-DC转换。新的Top Cool器件采用TCPAK57封装，尺寸仅5mm x 7mm，在顶部有一个16.5 mm2的热焊盘，可以将热量直接散发到散热器上，而不是通过传统的印刷电路板（以下简称“PCB”）散热。采用TCPAK57封装能充分使用PCB的两面，减少PCB发热，来提升功率密度

  全新 IAR Embedded Workbench for RISC-V 支持 Andes CoDense™扩展

  瑞典乌普萨拉 - 2022 年 11 月 17 日 - 嵌入式开发软件和服务的全球领导者 IAR Systems® 宣布其最新版本的 IAR Embedded Workbench for RISC-V 3.11版现已完全支持 Andes Technology（晶心科技）旗下 AndeStar™ V5 RISC-V 处理器的 CoDense™ 扩展。CoDense™ 是处理器 ISA（指令集架构）的专利扩展，可以帮助 IAR 的工具链生成紧凑的代码，从而节省目标处理器上的闪存，而在之前版本中已实现支持的 A

  在各种电源应用领域，例如工业电机驱动器、AC/DC 和 DC/DC 逆变器/转换器、电池充电器、储能系统等，人们不遗余力地追求更高效率、更小尺寸和更优性能。性能要求越来越严苛，已经超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而基于碳化硅 (SiC) 的新型晶体管架构应运而生。在各种电源应用领域，例如工业电机驱动器、AC/DC 和 DC/DC 逆变器/转换器、电池充电器、储能系统等，人们不遗余力地追求更高效率、更小尺寸和更优性能。性能要求越来越严苛，已经超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而

  SiC MOSFET模块是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半导体器件，在高速开关性能和高温环境中，优于目前主流应用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高标称电压和更大电流容量的工业设施应用中，SiC MOSFET模块能够完全满足包括轨道车用逆变器、转换器和光伏逆变器在内的应用需求，实现系统的低损耗和小型化。东芝推出并已量产的1200V和1700V碳化硅MOSFET模块MG600Q2YMS3和MG400V2YMS3就是这样的产品，其最大亮点是全SiC MOSFET模块，不同于只用SiC SBD（肖

  图源：东方IC芯片行业两家重量级企业Arm和高通的法庭诉讼进入攻防战阶段，而近期传出的相关消息，更有可能对全球芯片行业的发展带来极大的影响。高通在近期提交给法庭的一份证据中提到，Arm在与别的客户沟通时表示，高通所获授权在2024年到期后不再续签，这也代表着高通将不能再提供Arm架构的芯片。另外，所有获得Arm授权的半导体制造商将无法向OEM客户提供CPU外的其他SoC组件，包括GPU、NPU等，因为Arm计划将CPU许可证协议与这些组件的许可证协议打包在一起授权。这场诉讼源于高通2021年收购了芯片设计

  能效提升超20%！5年8款CPU，平头哥玄铁RISC-V生态实现大跨步

  在“2019 阿里云峰会”上，阿里平头哥正式对外发布了当时业界最强的高性能RISC-V处理器内核——玄铁C910，引发了业界的广泛关注。实际上，早在2014年之时，平头哥副总裁孟建熠就慢慢的开始关注RISC-V，2018年，平头哥成功研发一款低功耗的RISC-V内核玄铁E902。此后，平头哥持续深耕RISC-V领域，并迅速成为了RISC-V领域的领导厂商。11月3日，在杭州举行的“2022云栖大会”上，平头哥发布全新的RISC-V高能效处理器——玄铁C908。据介绍，玄铁C908计算能效全球领先，较业界同性能处

  作为全球化的半导体企业，正如在2022年度闪存峰会和2022年度三星内存技术日上所承诺的，三星今日宣布，已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb（太字节）三比特单元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度，可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。三星电子第八代V-NAND，1Tb三星闪存产品与技术执行副总裁SungHoi Hu表示：市场对更高密度、更大容量存储的需求，推动了V-NAND层数的增加，三星采用3D缩放（3

  三星宣布量产第 8 代 V-NAND 闪存，PCIe 5.0 SSD 速度可超 12GBps

  IT之家11 月 7 日消息，虽然还没有发布任何实际产品，但三星电子现宣布慢慢的开始大规模生产其 236 层 3D NAND 闪存芯片，该公司将其命名为第 8 代 V-NAND。新一代存储芯片可带来 2400MTps 的传输速度，当搭配高端主控使用时，它可使得消费级 SSD 的传输速度轻松超过 12GBps。据介绍，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星电子没有公开 IC 的大小和实际密度，不过他们称之为业界最高的比特密度。三星声称，与现有相同容量的闪存芯片相比，

  在万物互联的新时代，RISC-V架构凭借简洁、模块化、可扩展等特点快速地发展，并与X86、Arm渐成三足鼎立之势。作为RISC-V生态重要参与者之一，阿里平头哥在11月3日云栖大会上，发布全新RISC-V高能效处理器玄铁C908，并在端侧平头哥引领RISC-V架构首次进入安卓开源生态体系，推动RISC-V与全球主流移动操作系统生态接轨。30多行业实现商业落地当前，RISC-V架构正朝着可扩展的模块化、ISA（指令集）定制化以及软硬件全栈优化的方向发展。平头哥不断扩宽RISC-V性能及应用边界，今年发布无剑6

  Codasip为SiliconArts的光线追踪GPU提供定制化的RISC-V处理解决方案

  德国慕尼黑和韩国首尔，2022年11月——可定制RISC-V处理器知识产权（IP）的领导者Codasip日前宣布，SiliconArts已采用面向特定应用的Codasip 7系列RISC-V处理器，并使用Codasip Studio定制化工具。SiliconArts是为高端图形处理提供创新解决方案的领导者，通过其极具真实感的光线追踪图形渲染技术实现沉浸式体验。Codasip RISC-V处理器IP与SiliconArts光线追踪图形处理器（GPU）相结合，将为下一代要求最苛刻的增强现实应用赋能。Silic

  SiFive 发布新款 RISC-V 处理器 P670 和 P470：5nm 工艺打造，最高频率 3.4GHz

  IT之家11 月 3 日消息，SiFive 宣布推出两款高性能 RISC-V 处理器，旨在为“下一代可穿戴设备和智能消费设备”提供动力，型号为P670 和 P470。据介绍，SiFiveP670 和 P470 支持虚拟化，包括用于加速虚拟化设备 I / O 的单独 IOMMU，以及基于去年批准的 RISC-V Vector v1.0 规范的完整无序矢量实现，还号称是市场上第一个支持新的 RISC-V 矢量加密扩展的芯片，最多支持16 个内核的集群一起工作。S

  软银集团旗下芯片设计公司ARM和高通目前正在就知识产权许可问题展开一场复杂的法律纠纷，这可能会产生重大影响。ARM正寻求改变其授权模式日前ARM对于高通透过收购Nuvia间接获得ARM CPU指令集，而非直接向ARM购买授权一事对簿公堂。