选用30—50kHz智能倍压电路，首先运用新PUM脉宽调制技能和大功率IGBT器材，并依据电磁兼容性理论，采取了特别屏蔽、阻隔和接地等办法使直流高压发生器完成了高品质，能接受标称电压放电而不损坏机器直流高压发生器广`泛运用于高压电气设备的直流耐压和走漏电流实验,如避雷器、电力电缆、变压器绕组及发电机的现场实验。此外还许多运用于医用器械、离子加速器等范畴。前期的直流高压发生器运用的是简略的工频倍压整流技能,现在运用的是中频逆变技能,可是许多都未运用单片机操控,仪器功用简略,操控灵活性差。并且在需求精细测髦试品走漏电流时,需求用外置的微安表,安装在倍压筒的高压输出端,间隔比较远时,在读数和调查仁很不便利。而在做绝缘实验的时分,走漏电流是要害参数,丈量上的不便利,直接引发了运用者的运用困难。

  介绍的直流高压发生器,。该单片机功用强大,扩展性好。经过精心规划运用电路,运用脉宽调制调压技能中频逆变技能,仪器完成了数字化的电压调理输出,杰出的人机设置操作,PWM调制操控,过流维护,通讯打印功用等。特别是红外式的走漏电流丈量,大大改善了当时的丈量方法,运用者不需求再用微安表,可在操控面板上直接读数。整机功用到达额定功率400w,输出直流电压从零起调,最高200kV,电流2mA,脉动系数小于1%走漏电流是经过在输出端设置电流信号采样板,然后经过红外数据传输的方法将走漏电流信号传送到主机,完成了准确的电流丈量又处理了信号读取问题。在电压操控方法上,该规划选用了大回路电压反应操控,由单片机来完成操控算法,因为C8051印巧单片机片内资源丰富,并且芯片作业频率高达25MzH,可彻底满意操控的实时性需求,确保了规划的成功完成。

  该机体系原理图如图1所示,工频电源电压220V经过整流滤波后,变成3o0V的直流电压,输人脉宽调制环节,经过单片机8051印巧的操控完成Ac/Dc改换,输出。一巧ov直流可调电压信号,中频全桥逆变环节,选用IGBT,将直流电压逆变成80kHz沟通电压,经过中频变压器完成升压,电压到达巧kv左右,经过多级硅堆倍压整流电路,将电压信号转换成直流O一200kV输出高压输出端的

  这部分电路规划选用了半桥阻隔改换器拓扑结构,详细电路完成见图2。PWM操控芯片选用3525A电压型芯片,该芯片操控方法简略,可直接驱动MOSFET,操控和维护功用完全,十分适用开关电源。开关管选用了功率MOSFET,功率MosFET具有驱动功率小,作业速度快,无二次击穿问题,安全区宽等长处。操控方法是脉宽调制,频率选用80kHz。经过单片机8片内的D/A转换器输出给定电压信号至3525A的差错比较器的正输人端,经过光祸反应回来的输出电压信号输人比较器的负输入端,当反应电压信号低于给定电压信号时,内部逻辑电路动作,输出驱动脉冲信号,跟着差错电压的增大,脉宽变大,使得

  导通时刻加大，输出电压升高，反应电压跟从升高，差错电压减小，到达输出电压等于给定值。驱动脉冲信号为二路别离驱动2个MOSFET，每路占空比调整最高可达50%左右，二路并用则可到达约100%，充沛的利用了A的驱动才能，加大了电压调理规模。